Depto. de Semicondut. Instrumentos e Fotônica

Contratos de Financiamento para Atividades de Pesquisa e Outros

1.

J.W.Swart, Tecnologia de circuitos integrados de GaAs. Contrato # 999900101 , FINEP , (08/1993 - 02/1997), valor: US$ 1.200.000,00

2.

J.W.Swart, Publicacao do Trabalho "Rapid Thermal Diffusion of Sn From Sog Into Gaas" . Contrato # 95/04377-1 , FAPESP , (11/1995 - 04/1996), valor: US$ 234,00

3.

J.W.Swart, Programa Especial para Fabricacao de Circuitos Integrados no Exterior. - Fase 02 . Contrato # 96/08581-5 , FAPESP , (12/1996 - 11/1998), valor: US$ 220.000,00

4.

J.W.Swart, Tecnologia Hbifet: Processo e Caracterizacao . Contrato # 92/03453-8 , FAPESP , (11/1993 - 10/1997), valor: US$ 603.340,00

5.

P.J.Tatsch, Atualizacao do Laboratorio do Dsif . Contrato # 94/05417-4 , FAPESP , (04/1995 - 03/1996), valor: US$ 20.150,00

6.

V.Baranauskas, Faplivros III . Contrato # 95/08531-5 , FAPESP , (12/1996 - 11/1997), valor: US$ 255.169,00

7.

W.C.Mariano e J.W.Swart, Deposicao de Filmes Finos Isolantes de Oxido e Nitreto de Silicio Utilizando as Tecnicas de Plasma Remoto (Rpecvd) e Electron Cyclotron Resonance (Ecr) Chemical Vapor Deposition . (bolsa de mestrado) Contrato # 93/04992-2 , FAPESP , (09/1995 - 08/1996), valor: US$ 15.600,00