Depto. de Semicondut. Instrumentos e Fotônica
- 1.
- ``Formação de filmes finos de oxinitreto de silício por implantação de íons de nitrogênio e de óxido nítrico'',
Aluno: J.A.Diniz,
Orientador: P.J.Tatsch,
Data da defesa: 20/09/1996.
- 2.
- ``Contribuição ao estudo tribológico dos pares acionadores de motores ultra-sônicos'',
Aluno: M.Fukui,
Orientador: V.Baranauskas,
Data da defesa: 06/03/1996.
- 3.
- ``Crescimento de Monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo Método Czochralski'',
Aluno: C.E.M.de Oliveira,
Orientador: M.M.Gracia de Carvalho,
Data da defesa: 10/12/1996.
3/2/1998