|
|
Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Departamento de Máquinas Componentes e Sist. Intelig.
Produções / Artigos publicados em periódicos
Artigos publicados em periódicos especializados arbitrados
Circulação Nacional
1.
|
|
RODRIGUES, E.; C. DE QUEIROZ, Jose Eudoxio; MUNOZ, S. N. M.; MARINS, E. S. V. P.; DOI, I.; DIAS, G. O.; TEJERO, D.C.B.; Growth and Characterization of Silicion Nanocrystals Obtained by lon Implantion., 10/2006, Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron),Vol. 1, pp.1-3, Campinas, SP, Brasil, 2006
|
2.
|
|
DOI, I.; MARINS, E. S. V. P.; MESTANZA, S.N.M.; Influence of Nucleotion Parameters in Spatial Distribution of the Ge Nanocrystals., 10/2006, Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron),Vol. 1, pp.1-3, Campinas, SP, Brasil, 2006 *
|
3.
|
|
DOI, I.; MARINS, E. S. V. P.; SWART, Jacobus Willibrordus; C. DE QUEIROZ, Jose Eudoxio; Influence of Post-Annealing Time in Gas Passivation on the Photoluminescence Spectral Emission of Silicon Nanostructures Embedded in SiO2., 11/2006, Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron),Vol. 1, pp.1-3, Campinas, SP, Brasil, 2006 *
|
4.
|
|
DOI, I.; MARINS, E. S. V. P.; C. DE QUEIROZ, Jose Eudoxio; Ligth Gain from Silicon Nanocrystals by Passivation., 10/2006, Activity Report (Laboratório Nacional de Luz Síncrotron),Vol. 1, pp.1-3, Campinas, SP, Brasil, 2006 *
|
5.
|
|
MARINS, E. S. V. P.; MESTANZA, S.N.M.; DOI, I.; Influence of Nucleation Parameters in the Spatial Distribution of the Ge Nanocrystals formed by LPCVD, 10/2006, Materials Science in Semiconductor Processing,Vol. 9, Fac. 45, pp.828-839, Estados Unidos da América, 2006 *
|
6.
|
|
MARINS, E. S. V. P.; MUNOZ, S. N. M.; DOI, Doi, I.; Influence of Nucleation Parameters in the Spatial Distribution of the Ge Nanocrystals formed by LPCVD, 01/2006, Materials Science in Semiconductor Processing,Vol. 1, pp.1-3, Estados Unidos da América, 2006 *
|
Circulação Internacional
1.
|
|
MSC. RICARDO COTRIN TEIXEIRA -, MSc. Ricardo Cotrin Teixeira -; DOI, I.; DINIZ, J. A.; PROF. DR. JACOBUS W SWART - PE, Prof. Dr. Jacobus W Swart - Pe; ZAKIA, M. B. P.; Morphological study of polycrystalline SiGe alloy deposited by vertical LPCVD, 12/2006, Brazilian Journal of Physics,Vol. 36, Fac. 2A, pp.466-469, São Paulo, SP, Brasil, 2006 *
|
2.
|
|
LIRA, J.G.A.; OLIVEIRA JÚNIOR, A. C.; FREIRE, R. C.S.; DOI, I.; LUCIANO, B.A.; SWART, Jacobus Willibrordus; Dynamic Characterization of Thermo-Resistive Micro-Sensor, 01/2006, IEEE Transaction on Instrumentation and Measurements,Vol. 3, pp.1647-1651, New York, Estados Unidos da América, 2006 *
|
3.
|
|
OLIVEIRA, Luiz Cláudio; BARBAROTO, P. R.; FERREIRA, L.O.S; DOI, I.; A novel Si micromachine moving-coil induction actuated mm-sized resonant scanner, 01/2006, Journal of Micromechanics and Microengineering,Vol. 16, pp.165-172, Bristol, Reino Unido, 2006 *
|
4.
|
|
MARINS, E. S. V. P.; MESTANZA, S.N.M.; C. TEIXEIRA, Ricardo; DOI, I.; Influence of nucleation parameters in Ge NCs formation by LPCVD, 01/2006, Journal of the Electrochemical Society,Vol. 2006, Fac. 04, pp.339-343, Manchester, NH 03108, Estados Unidos da América, 2006 *
|
5.
|
|
MESTANZA, S.N.M.; RODRIGUES, E.; BIASOTTO, C.; DOI, I.; DINIZ, J. A.; SWART, Jacobus Willibrordus; Characterization and Modeling of Antireflective Coatings of SiO2, Si_3 N_4, and SiOxNy Deposited by electron cyclotron resonance enhanced plasma chemical vapor deposition, 03/2006, Journal vaccum science and technology B,Vol. 24, Fac. 2, pp.823-827, New York, Estados Unidos da América, 2006 *
|
6.
|
|
MSC. RICARDO COTRIN TEIXEIRA -, MSc. Ricardo Cotrin Teixeira -; DOI, I.; PROF. DR. JACOBUS W SWART - PE, Prof. Dr. Jacobus W Swart - Pe; DINIZ, J. A.; ZAKIA, M. B. P.; CV characteristics of polycrystalline SiGe Films with Low GE Concentration, 12/2006, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms,Vol. 253, Fac. 1-2, pp.37-40, Amsterdam, Holanda, 2006 *
|
7.
|
|
DOI, I.; NELI, ROBERTO RIBEIRO; DINIZ, J. A.; SWART, Jacobus Willibrordus; Development of Process for Far Infrared Sensor Fabrication, 01/2006, Sensors and Actuators. A, Physical,Vol. 131, pp.400-406, Lausanne, Suiça, 2006 *
|
* Esta produção está associada também a outros órgãos
|
|
