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Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
 
Departamento de Semicondutores, Instrumentos e Fotônica
 
Produções / Artigos publicados em periódicos

Artigos publicados em periódicos especializados arbitrados
 
Circulação Internacional
 
1.
  RODRIGUES, A. A.; BARANAUSKAS, Vitor; CERAGIOLI, Helder José; PETERLEVITZ, Alfredo Carlos; BELANGERO, William Dias; In vivo preliminary evaluation of bone-microcrystalline and bone-nanocrystalline diamond interfaces, 10/2010, Diamond and Related Materials,Vol. 19, Fac. 10, pp.1300-1306, Lausanne, Suiça, 2010
 
2.
  MANSANO, A. L. R.; A. DE LIMA, Jader; SWART, Jacobus Willibrordus; A Fast-Response Charge-Pumpe Gate Driver Applied to Linear Regulation, 05/2010, ECS Transactions (Online),Vol. 5, pp.16-22, Pennington, Estados Unidos da América, 2010 *
 
3.
  CORAUCCI, Guilherme; OLIVEIRA, R. V. D.; GARCIA, V.; FRUETT, Fabiano; A Study of the Geometrical Correction Factor and the Membrane Thickness on the Sensitivity of the Transversal Piezoresistive Pressure Sensor, 08/2010, ECS Transactions (Online),Vol. 5, Fac. 2, pp.140-147, Pennington, Estados Unidos da América, 2010
 
4.
  GRADOS, H. R. Jimenez; MANERA, LEANDRO TIAGO; WADA, Ricardo; DINIZ, J. A.; DOI, I.; TATSCH, Peter Jurgen; HERNANDEZ FIGUEROA, Hugo Enrique; SWART, Jacobus Willibrordus; DC Improvements and Low-Frequency 1/ Noise Characteristics of Complimentary Metal Oxide Semiconductor Transistors with a Single n -Doped Polycrystalline Si/SiGe Gate Stack, 01/2010, Japanese Journal of Applied Physics,Vol. 49, pp.1-5, Toquio, Japão, 2010 *
 
5.
  DE LIMA, Oscar; VIEIRA, K. B.; AWANA, V.P.S.; KISHAN, H.; MOSCHIM, Edson; Nano-Ni addition to MgB2: effects on the superconducting properties, 08/2010, Journal of Materials Science,Vol. 45, Fac. 18, pp.4929-4933, London, Reino Unido, 2010 *
 
6.
  MÁRCIA W.C C.GREENSHIELDS, Márcia; S. MERUVIA, Michelle; HÜMMELGEN, I A; J. COVILLE, Neil; D. MHLANGA, Sabelo; CERAGIOLI, Helder J.; QUISPE, J.C.R.; BARANAUSKAS, Vitor; AC-Conductance and Capacitance Measurements for Ethanol Vapor Detection Using Carbon Nanotube-Polyvinyl Alcohol Composite Based Devices, 03/2010, Journal of Nanoscience and Nanotechnology (Print),Vol. 10, pp.1-5, Stevenson Ranch, CA, Estados Unidos da América, 2010
 
7.
  PINTO, M. A. S.; PETERLEVITZ, Alfredo Carlos; CERAGIOLI, Helder J.; DAMIANI, Furio; CHIQUITO, A. J.; DIAGONEL, Edgar; BARANAUSKAS, Vitor; Electrical properties of diamond films prepared from carbon disulfide and ethanol in hydrogen, 03/2010, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena,Vol. 85, Fac. 2, pp.180-183, New York, Estados Unidos da América, 2010
 
8.
  M.A., Moreira; DOI, I.; SOUZA, J. F.; DINIZ, J. A.; Electrical characterization and morphological properties of AlN films prepared by dc reactive magnetron sputtering, 07/2010, Microelectronic Engineering,Vol. 88, Fac. 5, pp.802-806, Holanda, Holanda, 2010 *
 
9.
  BARROS, Angélica Denardi de; F. ALBERTIN, K.; MIYOSHI, Juliana; DOI, I.; DINIZ, J. A.; Thin titanium oxide films deposited by e-beam evaporation with additional rapid thermal oxidation and annealing for ISFET applications, 07/2010, Microelectronic Engineering,Vol. 87, pp.443-446, Holanda, Holanda, 2010 *
 
10.
  MIYOSHI, Juliana; DINIZ, J. A.; BARROS, Angélica Denardi de; DOI, I.; VON ZUBEN, A.A.G.; Titanium aluminum oxynitride (TAON) as high-k gate dielectric for sub-32nm CMOS technology, 01/2010, Microelectronic Engineering,Vol. 87, pp.267-270, Holanda, Holanda, 2010 *
 
11.
  GRADOS, H. R. Jimenez; MANERA, LEANDRO TIAGO; F. RAUTEMBERG, M.; DINIZ, J. A.; DOI, I.; TATSCH, Peter Jurgen; HERNANDEZ FIGUEROA, Hugo Enrique; SWART, Jacobus Willibrordus; The influence of poly-Si/SiGe gate in CMOS transistors for RF and microwave circuit applications, 02/2010, Physica Status Solidi,Vol. 7, Fac. 2, pp.440-443, Berlin, Alemanha, 2010 *
 
12.
  CORAUCCI, G. O.; FRUETT, Fabiano; Study, design, microfabrication and characterization of a new CMOS compatible multi-terminal pressure sensor with enhanced sensitivity, 03/2010, Sensors and Actuators. A, Physical,Vol. 165, Fac. 1, pp.43-53, Lausanne, Suiça, 2010
 
 
* Esta produção está associada também a outros órgãos

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