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Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Departamento de Máquinas Componentes e Sist. Intelig.
Produções / Resumos Publicados
Resumos publicados em anais de congressos
Nacional
1.
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ISMAIL, S. M.; MIGUEL, P. V. O.; BARRETO, Gilmar; APRENDIZAGEM ATRAVÉS DE PROCEDIMENTOS FORMATIVOS COM O USO DE RECURSOS TECNOLÓGICOS, 12/2011, III Seminário Inovações em Atividades Curriculares Experiências no Ensino Superior,Vol. 1, pp.1-1, Campinas, SP, Brasil, 2011
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2.
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OLIVEIRA, R. S.; PAGAN, Cesar José Bonjuani; Estudo e proposta para redução do consumo de energia elétrica pelo uso de aquecedores solares., 10/2011, XIX Congresso Interno de Iniciação Científica da UNICAMP-PIBIC,Vol. 1, pp.363-363, Campinas, SP, Brasil, 2011
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3.
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COLETTO, M. A.; PAGAN, Cesar José Bonjuani; Funções de onda de um elétron, 10/2011, XIX Congresso Interno de Iniciação Científica da UNICAMP-PIBIC,Vol. 1, pp.363-363, Campinas, SP, Brasil, 2011
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4.
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ANGELO, T. N.; PAGAN, Cesar José Bonjuani; Simulação e construção de uma bobina de Tesla (Construção), 10/2011, XIX Congresso Interno de Iniciação Científica da UNICAMP-PIBIC,Vol. 1, pp.363-364, Campinas, SP, Brasil, 2011
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5.
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FERREIRA, E. E.; PAGAN, Cesar José Bonjuani; Simulação e construção de um bobina de Tesla (Teoria), 10/2011, XIX Congresso Interno de Iniciação Científica da UNICAMP-PIBIC,Vol. 1, pp.362-363, Campinas, SP, Brasil, 2011
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6.
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SOUZA, J. F.; MOREIRA, M. A.; DOI, I.; DINIZ, J. A.; TATSCH, Peter Jurgen; Growth and characterization of TiO2 thin films prepared by DC reactive magnetron sputter at room temperature, 09/2011, X Encontro Anual da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais (SBPMat),Vol. 1, pp.101-101, Gramado, RS, Brasil, 2011 *
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7.
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PAGAN, Cesar José Bonjuani; REYNA ALMANDOS, J.G.; RAINERI, M.; TRIGUEIROS, A.G.; A program to view the relationship between atomic energy levels and Slater parameters, 06/2011, XXXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada,Vol. 1, pp.1-3, Foz do Iguaçu, PR, Brasil, 2011 *
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8.
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PAGAN, Cesar José Bonjuani; CAVALCANTI, G.H.; JUPEN, C.; TRIGUEIROS, A.G.; The analysis of the S VIII spectrum, 06/2011, XXXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada,Vol. 1, pp.1-1, Foz do Iguaçu, PR, Brasil, 2011 *
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Internacional
1.
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LIMA, L. P. B.; DINIZ, J. A.; RADTKE, C.; DOI, I.; MIYOSHI, Juliana; SILVA, A. R.; GODOY FILHO, J.; Structural and Electrical Characteristics of TaN Film Deposited by DC Sputtering for MOS Capacitor and Schottky Diode Upper Electrodes, 11/2011, 58th Annual International Symposium and Exhibition - AVS 2011,Vol. 1, pp.243-243, Tennessee, Estados Unidos da América, 2011. Resumo expandido *
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2.
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LIMA, L. P. B.; DINIZ, J. A.; RADTKE, C.; DOI, I.; MIYOSHI, Juliana; SILVA, A. R.; GODOY FILHO, J.; Structural and Electrical Characteristics of TiN Film Deposited by DC Sputtering for MOS Capacitor and Schottky Diode Upper Electrodes, 10/2011, 58th Annual International Symposium and Exhibition - AVS 2011,Vol. 1, pp.243-243, Tennessee, Estados Unidos da América, 2011. Resumo expandido *
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3.
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SOUZA, J. F.; MOREIRA, M. A.; DOI, I.; DINIZ, J. A.; TATSCH, Peter Jurgen; Preparation and Characterization of High-k Tantalum Pentoxide (Ta2O5) Thin Film for Sensors and Integrated Circuits Applications, 08/2011, 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors - ICANS 24,Vol. 1, pp.282-282, Nara, Japão, 2011. Resumo expandido *
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4.
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BARRETO, Gilmar; SOBRAL, T. E. L.; ESTUDO DOS MÉTODOS DE SELEÇÃO DE
MODELOS MATEMÁTICOS ARX UTILIZANDO CRITÉRIOS DE
INFORMAÇÃO, 07/2011, 63 63ª Reunião Anual da SBPC,Vol. 1, pp.75-75, Goiania, GO, Brasil, 2011
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5.
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LIMA, L. P. B.; MOREIRA, M. A.; DINIZ, J. A.; DOI, I.; Titanium Nitride Deposited by DC Sputtering for MOS Gate Electrode Application, 07/2011, International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2011 - ICFSI-13,Vol. 1, pp.230-230, Praga, República Tcheca, 2011. Resumo expandido *
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6.
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SOUZA, J. F.; MOREIRA, M. A.; DOI, I.; DINIZ, J. A.; TATSCH, Peter Jurgen; GONÇALVES, J.L.; Preparation and characterization of high-k Aluminum nitride (AlN) thin film for sensors and integrated circuits applications, 07/2011, International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2011 - ICFSI-13,Vol. 1, pp.1-1, Praga, República Tcheca, 2011. Resumo expandido *
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7.
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LIMA, L. P. B.; MOREIRA, M. A.; DINIZ, J. A.; DOI, I.; Titanium Nitride Deposited by DC Sputtering for MOS Gate Electrode Application, 07/2011, International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2011 - ICFSI-13,Vol. 1, pp.1-1, Praga, República Tcheca, 2011. Resumo expandido *
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* Esta produção está associada também a outros órgãos
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