Nome Projeto | 1) CHARACTERISTICS OF SILICON OXYNITRIDES MADE BY ECR PLASMAS. 2) RADIATION HARDENING OF OXYNITRIDES FORMED BY LOW NITROGEN IMPLANTATION INTO SILICON PRIOR TO OXIDATION. !-- --> | |
Tipo Projeto: | Pesquisa Básica!-- --> |
| Situação Projeto: | Em Andamento!-- --> |
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Data Início Projeto: | 03/2001!-- --> |
| Ano Fim Projeto: | 2001!-- --> |
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Tipo Envolvimento Contrato: | Individual!-- --> |
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Descrição Projeto | 1) CHARACTERISTICS OF SILICON OXYNITRIDES MADE BY ECR PLASMAS. 2) RADIATION HARDENING OF OXYNITRIDES FORMED BY LOW NITROGEN IMPLANTATION INTO SILICON PRIOR TO OXIDATION. !-- --> | |
Instituições | Nome: | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Fapesp!-- --> |
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Tipo do Financiamento: | Auxilio part. Reunião!-- --> |
| Nº Processo na Financiadora: | 2001/00892-1!-- --> |
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Data Início Financiamento: | 03/2001!-- --> |
| Data Fim Financiamento: | 03/2001!-- --> |
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Valor do Financiamento: | R$ 5.658,65!-- --> |
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Órgãos | 29.09.00.00.00.00.00 - DEPARTAMENTO DE SEMICONDUTORES INSTRUMENTOS E FOTONICA!-- --> |
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Equipes Projeto | JACOBUS WILLIBRORDUS SWART( Responsável )!-- --> |
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