Relatórios Carga Fapesp

Relatório Carga Fapesp / 2003

Emissão: 15/12/2003 21:31:52

FEEC - FACULDADE DE ENGENHARIA ELETRICA E DE COMPUTACAO

Projeto Incluído

Nome Projeto:

SILICON NITRIDE ETCHING IN HIGH - AND LOW - DENSITY PLASMAS USING SF6/02/N2 MIXTURES

Tipo Projeto:

Pesquisa Básica

Situação Projeto:

Em Andamento

Data Início Projeto:

11/2003

Ano Fim Projeto:

2004

Tipo Envolvimento Contrato:

Individual

Descrição Projeto:

SILICON NITRIDE ETCHING IN HIGH - AND LOW - DENSITY PLASMAS USING SF6/02/N2 MIXTURES

Instituições

Nome:

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Fapesp

Tipo do Financiamento:

Auxilio publicação

Nº Processo na Financiadora:

2003/02530-5

Data Início Financiamento:

11/2003

Data Fim Financiamento:

01/2004

Valor do Financiamento:

R$ 1.603,12

Órgãos

29.00.00.00.00.00.00 - FACULDADE DE ENGENHARIA ELETRICA E DE COMPUTACAO

Equipes Projeto

JACOBUS WILLIBRORDUS SWART( Responsável )

Projeto Incluído

Nome Projeto:

CHAVEAMENTO ELETRO-OPTICO VIA GORJEIO EM FREQUENCIA INDUZIDO EM AMPLIFICADORES OPTICOS A SEMICONDUTOR.

Tipo Projeto:

Pesquisa Básica

Situação Projeto:

Em Andamento

Data Início Projeto:

08/2003

Ano Fim Projeto:

2004

Tipo Envolvimento Contrato:

Individual

Descrição Projeto:

CHAVEAMENTO ELETRO-OPTICO VIA GORJEIO EM FREQUENCIA INDUZIDO EM AMPLIFICADORES OPTICOS A SEMICONDUTOR.

Instituições

Nome:

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Fapesp

Tipo do Financiamento:

Bolsa Pos doutorado no país PD

Nº Processo na Financiadora:

2003/02744-5

Data Início Financiamento:

08/2003

Data Fim Financiamento:

07/2004

Valor do Financiamento:

R$ 34.320,00

Órgãos

29.00.00.00.00.00.00 - FACULDADE DE ENGENHARIA ELETRICA E DE COMPUTACAO

Equipes Projeto

Cristiano de Mello Gallep( Responsável )

Projeto Incluído

Nome Projeto:

SELECTIVE SILICON NITRIDE ETCHING BY ECR PLASMAS USING SF6 AND NF3 BASED GAS MIXTURES.

Tipo Projeto:

Pesquisa Básica

Situação Projeto:

Em Andamento

Data Início Projeto:

11/2003

Ano Fim Projeto:

2003

Tipo Envolvimento Contrato:

Individual

Descrição Projeto:

SELECTIVE SILICON NITRIDE ETCHING BY ECR PLASMAS USING SF6 AND NF3 BASED GAS MIXTURES.

Instituições

Nome:

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Fapesp

Tipo do Financiamento:

Auxilio part. Reunião

Nº Processo na Financiadora:

2003/08411-8

Data Início Financiamento:

11/2003

Data Fim Financiamento:

11/2003

Valor do Financiamento:

R$ 8.424,00

Órgãos

29.00.00.00.00.00.00 - FACULDADE DE ENGENHARIA ELETRICA E DE COMPUTACAO

Equipes Projeto

JACOBUS WILLIBRORDUS SWART( Responsável )

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