| Nome Projeto: | DESENVOLVIMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROJUNCAO (HBT) E TRANSISTORES MOS VERTICAIS COM INGAP/GAAS. |
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| Tipo Projeto: | Pesquisa Básica |
| | Situação Projeto: | Em Andamento |
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| Data Início Projeto: | 10/2013 |
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| Tipo Envolvimento Contrato: | Individual |
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| Descrição Projeto: | DESENVOLVIMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROJUNCAO (HBT) E TRANSISTORES MOS VERTICAIS COM INGAP/GAAS. |
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| Instituições | | Nome: | | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo |
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| Tipo do Financiamento: | Bolsa Doutorado DR |
| | Nº Processo na Financiadora: | 2013/13983-2 |
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| Data Início Financiamento: | 10/2013 |
| | Data Fim Financiamento: | 09/2016 |
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| Valor do Financiamento: | R$ 138.838,15 |
| | Complemento do Tipo Financiamento: | BOLSA NO PAIS-DR-I |
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| Órgãos | | (FEEC) DSIF - DEPARTAMENTO DE SEMICONDUTORES INSTRUMENTOS E FOTONICA [29.09.00.00.00.00.00] |
| (REIT) CCS - CENTRO DE COMPONENTES SEMICONDUTORES [01.21.00.00.00.00.00] |
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| Equipes Projeto | | Cássio Roberto de Almeida( Participante ) |
| JOSE ALEXANDRE DINIZ( Responsável ) |
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