"Óxidos semicondutores como superfícies intensificadoras de espalhamento Raman e caracterização de vacâncias de oxigênio em trióxido de molibdênio fase alfa por espectroscopia Raman" (Doutorado). Candidato: Isaías de Castro Silva. Orientador: professor Italo Odone Mazali. Dia 22 de janeiro de 2021, às 13 horas, integralmente à distância.
Óxidos semicondutores como superfícies intensificadoras de espalhamento Raman e caracterização de vacâncias de oxigênio em trióxido de molibdênio fase alfa por espectroscopia Raman
