"Fabricação e caracterização de transistores HBT, MOSFET, TFET e JNT baseados em substratos III-V com passivação de nitreto de silício" (Doutorado). Candidato: Cássio Roberto de Almeida. Orientador: professor José Alexandre Diniz. Dia 31 de janeiro de 2019, às 13h30, na sala LE49 da FEEC.
Fabricação e caracterização de transistores HBT, MOSFET, TFET e JNT baseados em substratos III-V com passivação de nitreto de silício
