"Desenvolvimento de dispositivos de efeito de campo sensível a íons (EIS e ISFET) com diferentes eletrodos integrados (Al, Al2O3/Al, Grafeno/TiN, TiN, e Au/Ti) de referência" (Doutorado). Candidato: Rodrigo Reigota César. Orientador: professor José Alexandre Diniz. Dia 8 de maio de 2020, às 14 horas, na sala PE12 da FEEC.
Desenvolvimento de dispositivos de efeito de campo sensível a íons (EIS e ISFET) com diferentes eletrodos integrados (Al, Al2O3/Al, Grafeno/TiN, TiN, e Au/Ti) de referência
