Desenvolvimento de transistor de efeito de campo com porta estendida (EGFET) para quantificação da massa de fósforo removida de pacientes renais crônicos nas sessões de hemodiálise

"Desenvolvimento de transistor de efeito de campo com porta estendida (EGFET) para quantificação da massa de fósforo removida de pacientes renais crônicos nas sessões de hemodiálise" (Doutorado). Candidato: Sergio Henrique Fernandes. Orientador: professor Leandro Tiago Manêra. Dia 29 de janeiro de 2021, às 14 horas, via videoconferência.

twitter_icofacebook_ico